DRA2143T0L中文资料
DRA2143T0L图片
- 大小：130KB
- 厂家：
- 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
- 数据列表：DRA2143T
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 5mA，10V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：-
- 功率 - 最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：迷你型3-G3-B
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DRA2143T0LTR
DRA2143T0L供应商
更新时间:2022-12-31 23:21:34- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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DRA2143T0L
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8368
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SOT23/23+
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原装现货需要的加QQ3552671880 2987726803
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DRA2143T0L
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168000
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SOT23/23+
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
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DRA2143T0L
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3486
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SMD/2018+
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原装 部分现货量大期货
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DRA2143T0L
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17000
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TO2363/24+
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原装优势有货
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DRA2143T0L
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138000
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SOT23/23+
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
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